nanoplus 最新推出的InGaAsSb（锑砷化铟镓）光电二极管，以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料，相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内，峰值波长为1880nm，采用TO5封装，有效面积为Ø1mm，Ø2mm…